Beskrivelse
FCP165N65S3R0 fra onsemi er en avansert N-kanal effekt MOSFET basert på SUPERFET™ III super-junction teknologi, utviklet for høy effektivitet i moderne strømforsyninger og kraftkretser. Den benytter charge-balance teknologi som gir lav motstand, redusert switching-tap og forbedret EMI-egenskaper.
Denne transistoren er spesielt designet for applikasjoner der høy virkningsgrad og stabil drift er avgjørende, som i SMPS, industrielle strømforsyninger og LED-drivere.
🔧 Egenskaper:
- N-kanal MOSFET (enhancement mode)
- 650V drain-source spenning
- 19A kontinuerlig strøm
- Lav RDS(on): ca. 165 mΩ @ 10V
- SUPERFET™ III teknologi for lavt effekttap
- Ultra lav gate charge (typ. 39 nC)
- Lav utgangskapasitans for rask switching
- 100% avalanche-testet for høy driftssikkerhet
⚙️ Fordeler:
- Reduserer varmeutvikling og energitap
- Bedre effektivitet i strømforsyninger
- Stabil drift ved høy spenning og raske overganger
- Enklere design og mindre EMI-problemer
⚡ Bruksområder:
- Switch-mode strømforsyninger (SMPS)
- Server- og telecom strømforsyninger
- LED-drivere og adaptere
- Industrielle strømomformere
- TV, skjermer og forbrukerelektronikk
📊 Spesifikasjoner:
- Type: N-kanal MOSFET
- VDS (maks): 650 V
- ID (kontinuerlig): 19 A
- RDS(on): ~165 mΩ
- Gate-source spenning: ±30 V
- Effekttap: opptil 154 W
- Temperaturområde: -55°C til +150°C
- Kapsling: TO-220 (3-pin, through hole)
💡 Hvorfor velge FCP165N65S3R0?
Denne MOSFET-en gir en svært god balanse mellom ytelse, effektivitet og pålitelighet. SUPERFET™ III-teknologien gjør den spesielt godt egnet for moderne kraftdesign hvor lavt tap og stabil switching er kritisk.
Et solid valg for deg som jobber med strømforsyninger, effektstyring eller reparasjon av elektronikk med høye krav til effektivitet og driftssikkerhet.
