Beskrivelse
IRFB4229PbF fra Infineon / International Rectifier er en kraftig N-kanal HEXFET® MOSFET i TO-220AB-kapsling, utviklet for effektiv svitsjing i krevende applikasjoner. Komponenten har lav på-motstand, rask respons og høy repetitiv peak-strømkapasitet, noe som gjør den godt egnet til blant annet strømforsyninger, energigjenvinning, pass switch-kretser, PDP sustain-applikasjoner og klasse-D lydforsterkere. Databladet oppgir også bruk i klasse-D audioforsterkere på ca. 300–500 W i halvbro-konfigurasjon.
MOSFET-en tåler en drain-source-spenning på 250 V, har typisk RDS(on) på 38 mΩ ved VGS = 10 V og ID = 26 A, og maks oppgitt RDS(on) på 46 mΩ. Den støtter høy junction-temperatur opptil 175 °C, og er konstruert for robust og pålitelig drift med repetitiv avalanche-kapasitet.
Egenskaper:
- N-kanal HEXFET® Power MOSFET
- Drain-source spenning: 250 V
- Avalanche-spenning typisk: 300 V
- Lav RDS(on): typisk 38 mΩ / maks 46 mΩ
- Gate-source spenning: ±30 V
- Gate threshold voltage: 3,0–5,0 V
- Total gate charge: typisk 72 nC
- Rask svitsjing med korte rise- og fall-tider
- Maks junction-temperatur: 175 °C
- TO-220AB-kapsling
- Blyfri PbF-versjon
Typiske bruksområder:
IRFB4229PbF passer godt i kraftige svitsjekretser, DC/DC-omformere, energigjenvinningskretser, motorstyring, halvbro-løsninger og klasse-D audioforsterkere. Den lave på-motstanden bidrar til redusert effekttap, mens den robuste konstruksjonen gjør komponenten egnet for krevende elektronikkreparasjon, prototyping og nykonstruksjon.
