SI4948BEY dual P-mosfet 60A 2,4A

kr 29,50 inkl. mva.

Si4948BEY dual P-kanal MOSFET 60V i SO-8 kapsling. Lav RDS(on) og høy effektivitet – ideell for strømstyring, DC-DC konvertere og batteridrevne applikasjoner.

4 på lager

Beskrivelse

Si4948BEY – Dual P-Channel MOSFET 60V (SMD, SO-8)

Si4948BEY fra Vishay Siliconix er en kompakt og effektiv dual P-kanal MOSFET designet for strømstyring og switching-applikasjoner. Komponenten inneholder to uavhengige MOSFET-transistorer i én SO-8 SMD-kapsling, noe som gir plassbesparende design og høy integrasjon.

Med en maksimal drain-source spenning på 60 V og kontinuerlig drainstrøm opptil ca. 2.4–3.1 A, er denne MOSFET-en godt egnet for applikasjoner som DC-DC konvertere, laststyring og batteridrevne systemer.

Den er bygget med Vishay sin TrenchFET®-teknologi, som gir lav RDS(on) og dermed redusert effekttap og bedre energieffektivitet. Komponenten tåler driftstemperaturer opp til 175 °C, noe som gjør den robust for krevende miljøer og industrielle løsninger.

Egenskaper:

  • Dual P-kanal MOSFET i én kapsling
  • Maks drain-source spenning: 60 V
  • Kontinuerlig drainstrøm: opptil ca. 2.4–3.1 A
  • Lav RDS(on) for høy effektivitet (~0.12 Ω typ.)
  • SO-8 SMD kapsling (plassbesparende design)
  • Driftstemperatur opptil 175 °C
  • TrenchFET® teknologi for lavt tap

Bruksområder:

  • Strømforsyninger og DC-DC konvertere
  • Batteridrevne enheter
  • Lastbryting og power management
  • Industriell elektronikk og styringssystemer

Si4948BEY er et ideelt valg når du trenger en kompakt, effektiv og pålitelig MOSFET-løsning for moderne elektronikkdesign.

Datablad

Tilleggsinformasjon

Vekt 1 g
Dimensjoner 3 × 3 × 2 mm
Form faktor

Ant kontakter

Halvleder Type

Spenning

Du liker kanskje også…